| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 900 V |
| 额定电流 | 7.20 A |
| 封装 | TO-3-3 |
| 漏源极电阻 | 960 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 120 W |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 漏源击穿电压 | 900 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.20 A |
| 上升时间 | 135 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 120 W |
| 下降时间 | 90 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 120W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.7 mm |
| 宽度 | 5.7 mm |
| 高度 | 16.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.66 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.64 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
