类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
封装 | SC-94 |
功耗 | 85W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 250 V |
输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 85W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQAF16N50, 11.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PF封装
Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
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