FQB1P50TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FQB1P50TM 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	-500 V
额定电流	-1.50 A
封装	TO-263-3
通道数	1 Channel
漏源极电阻	8.00 Ω
极性	P-Channel
功耗	3.13 W
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
栅源击穿电压	±30.0 V
连续漏极电流(Ids)	1.50 A
上升时间	25 ns
输入电容值(Ciss)	350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	3.13 W
下降时间	30 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	63 W

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FQB1P50TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	9.65 mm
宽度	10.67 mm
高度	4.83 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃

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FQB1P50TM 符合标准

FQB1P50TM 海关信息

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Fairchild（飞兆/仙童）

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