类型 | 描述 |
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引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263 |
上升时间 | 170 ns |
输入电容值(Ciss) | 1170pF @25V(Vds) |
下降时间 | 110 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3750 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
表面贴装型 P 通道 100 V 22A(Tc) 3.75W(Ta),125W(Tc) D²PAK(TO-263AB)
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB22P10TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -22 A, -100 V, 96 mohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB22P10TM, 22 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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