| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.055 Ω |
| 功耗 | 3.75 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1100 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 185 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1100pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.75 W |
| 下降时间 | 90 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3750 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB27P06TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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