| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | D2PAK |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 52.4A |
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 1.04 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.94 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.022 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06LTM, 52 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06TM, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
