| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.8 Ω |
| 功耗 | 3.13 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.13 W |
| 下降时间 | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3130 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
表面贴装型 N 通道 5.4A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D²PAK（TO-263AB）
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 900 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
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