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FQB7N65CTM
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FQB7N65CTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:650V N沟道MOSFET 650V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQB7N65CTM 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
产品图
FQB7N65CTM 数据手册 (8 页)
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FQB7N65CTM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数2 Pin
额定电压(DC)650 V
额定电流7.00 A
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻1.4 Ω
极性N-Channel
功耗173 W
输入电容1.24 nF
栅电荷36.0 nC
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压650 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)7.00 A
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)1245pF @25V(Vds)
额定功率(Max)173 W
下降时间55 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)173W (Tc)
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FQB7N65CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.67 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQB7N65CTM 数据手册

FQB7N65CTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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