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FQB7P20TM"F085
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FQB7P20TM"F085 数据手册 (7 页)
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FQB7P20TM"F085 技术参数、封装参数

FQB7P20TM"F085 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
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FQB7P20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB7P20TM_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB7P20TM"F085  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 0.54Ω, -7.3A, TO-263-3
ON Semiconductor(安森美)
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 0.54Ω, -7.3A, TO-263-3
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