| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-263 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.54 Ω |
| 功耗 | 90 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM_F085 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM"F085 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 0.54Ω, -7.3A, TO-263-3
ON Semiconductor（安森美）
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 0.54Ω, -7.3A, TO-263-3
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