类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 9.00 A |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.65 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 135 W |
阈值电压 | 2 V |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
上升时间 | 65 ns |
输入电容值(Ciss) | 1030pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 135 W |
下降时间 | 64 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 135W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB9N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V
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500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB9N50CTM, 9 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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