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FQD13N06
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FQD13N06 数据手册 (12 页)
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FQD13N06 技术参数、封装参数

FQD13N06 外形尺寸、物理参数、其它

FQD13N06 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 1.58 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.98 MByte

FQD13 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD13N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD13N06LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
FQD13N10L 系列 100 V 10 A 180 mOhm N 沟道 QFET® MOSFET - DPAK-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N10TM, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
FQD13N06L 系列 60 V 0.115 Ohm 表面贴装 逻辑 N 沟道 Mosfet - TO-252-3
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N06TM, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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