| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 140 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 310pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD13N06LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor（安森美）
FQD13N06L 系列 60 V 0.115 Ohm 表面贴装 逻辑 N 沟道 Mosfet - TO-252-3
Fairchild（飞兆/仙童）
QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N06TM, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
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