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FQD13N10TM
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FQD13N10TM 数据手册 (2 页)
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FQD13N10TM 技术参数、封装参数

FQD13N10TM 外形尺寸、物理参数、其它

FQD13N10TM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
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FQD13N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD13N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FQD13N10L 系列 100 V 10 A 180 mOhm N 沟道 QFET® MOSFET - DPAK-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N10TM, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
D- PAK磁带和卷轴数据 D-PAK Tape and Reel Data
ON Semiconductor(安森美)
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