| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 1.90 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 4.7 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 235 pF |
| 栅电荷 | 12.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.90 mA |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 235pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.22 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
17 页 / 1.77 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
