类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 6.3 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 2.5 W |
漏源极电压(Vds) | 800 V |
漏源击穿电压 | 800 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.8A |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 550pF @25V(Vds) |
下降时间 | 28 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 4.9 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N80TM, 1.8 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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