FQD3N60 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD3P50TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.1 A, -500 V, 3.9 ohm, -10 V, -5 V 新

60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET

500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

N沟道 600V 2.4A

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V

N沟道 400V 2A

500V P沟道MOSFET 500V P-Channel MOSFET