类型 | 描述 |
---|
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 1.63 Ω |
功耗 | 45 W |
输入电容 | 325 pF |
上升时间 | 60 ns |
输入电容值(Ciss) | 325pF @25V(Vds) |
下降时间 | 27 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2500 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
表面贴装型 P 通道 250 V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) TO-252AA
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -250 V, 1.63 ohm, -10 V, -5 V
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