类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 5.00 A |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 2 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 49 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.80 A |
上升时间 | 42 ns |
输入电容值(Ciss) | 670pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 46 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD5N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD5N60CTM, 2.8 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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