类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-252-3 |
功耗 | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
输入电容值(Ciss) | 670pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD5N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD5N60CTM, 2.8 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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