Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild（飞兆/仙童） > FQD630TM Datasheet 文档
FQD630TM
来自 AiPCBA

FQD630TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:N沟道 200V 7A
PDF文件:FQD630TM 数据手册 (2 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FQD630TM 数据手册 (2 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FQD630TM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流7.00 A
封装TO-252-3
通道数1 Channel
漏源极电阻400 mΩ
极性N-CH
功耗2.5 W
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)7.00 A
上升时间75 ns
输入电容值(Ciss)550pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2.5 W
下降时间64 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta), 46W (Tc)
查看数据手册 >

FQD630TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.39 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

FQD630TM 数据手册

FQD630TM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.22 MByte
FQD630TM 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.39 MByte

FQD630 数据手册

FQD630 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
FQD630TM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道 200V 7A
FQD630TF 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道 200V 7A
FQD630TM 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
FQD630TF 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet