类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -100 V |
额定电流 | -6.60 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.41 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 44 W |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.60 A |
上升时间 | 110 ns |
输入电容值(Ciss) | 470pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 35 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.1 mm |
高度 | 2.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD8P10TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -6.6 A, -100 V, 0.41 ohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD8P10TM, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FQD8P10TM_F085: -100V,-6.6A,530mΩ,DPAK,P 沟道 QFET
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