| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 10.5 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 700 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 180 W |
| 输入电容 | 2.29 nF |
| 栅电荷 | 63.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 115 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1900pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 180 W |
| 下降时间 | 85 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 180W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP12P20. 晶体管, MOSFET, P沟道, 11.5 A, -200 V, 360 mohm, -10 V, -5 V
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP12N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 530 mohm, 10 V, 4 V
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FQP12N60C 系列 600 V 0.65 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP12P20, 11.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
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600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
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LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
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