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FQP12N60C
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FQP12N60C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP12N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 530 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:FQP12N60C 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
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FQP12N60C 数据手册 (10 页)
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FQP12N60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流12.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻530 mΩ
极性N-Channel
功耗225 W
阈值电压4 V
输入电容2.29 nF
栅电荷63.0 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
输入电容值(Ciss)2290pF @25V(Vds)
额定功率(Max)225 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)225W (Tc)
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FQP12N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQP12N60C 数据手册

FQP12N60C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 1.14 MByte
FQP12N60C 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
20 页 / 2.6 MByte
FQP12N60C 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte
FQP12N60C 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.5 MByte

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