| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 65 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 220 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 400pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 65 W |
| 下降时间 | 72 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 65 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.1 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
●它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 1.06 MByte
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 1.21 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
FQP13N10 系列 100 V 0.18 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N10L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP13N10L, 12.8 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
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