| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 13.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 480 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 195 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.0 A |
| 上升时间 | 100 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2055pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 195 W |
| 下降时间 | 100 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 195W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
FQP13N50 系列 500 V 0.43 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
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500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
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