| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.031 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 79 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 上升时间 | 85 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 945pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 79 W |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 79W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.1 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06L, 32 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
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