类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 33.0 A |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.052 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 127 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 33.0 A |
上升时间 | 195 ns |
输入电容值(Ciss) | 1500pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 127 W |
下降时间 | 110 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 127 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.83 mm |
高度 | 9.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP33N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET
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