类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 80.0 V |
额定电流 | 44.0 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 34.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 127 W |
漏源极电压(Vds) | 80 V |
漏源击穿电压 | 80.0 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 44.0 A |
上升时间 | 170 ns |
输入电容值(Ciss) | 1430pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 127 W |
下降时间 | 75 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 127W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 16.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP44N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP44N10, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
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