类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.022 Ω |
功耗 | 120 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
上升时间 | 105 ns |
输入电容值(Ciss) | 1180pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 120 W |
下降时间 | 65 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 120000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not For New Designs |
包装方式 | Rail, Tube |
长度 | 10.1 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.4 mm |
QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
●它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
FQP50N06 系列 60 V 0.022 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP50N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FQP50N06 系列 60 V 0.022 Ohm 通孔 N 沟道 Mosfet - TO-220-3
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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