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FQP6N60C
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FQP6N60C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQP6N60C 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
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焊盘图
引脚图
产品图
FQP6N60C 数据手册 (10 页)
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FQP6N60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流5.50 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻2.00 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)5.50 A
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)810pF @25V(Vds)
额定功率(Max)125 W
下降时间45 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125W (Tc)
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FQP6N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度10.67 mm
宽度4.7 mm
高度16.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQP6N60C 数据手册

FQP6N60C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.9 MByte
FQP6N60C 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
12 页 / 1.02 MByte
FQP6N60C 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte

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