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FQP8N60C
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FQP8N60C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP8N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:FQP8N60C 数据手册 (2 页)
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FQP8N60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流7.50 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻1 Ω
极性N-Channel
功耗147 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)7.50 A
上升时间60.5 ns
输入电容值(Ciss)1255pF @25V(Vds)
额定功率(Max)147 W
下降时间64.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)147W (Tc)
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FQP8N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度10.67 mm
宽度4.7 mm
高度16.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQP8N60C 数据手册

FQP8N60C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.01 MByte
FQP8N60C 其他数据使用手册
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20 页 / 2.6 MByte
FQP8N60C 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte

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