| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 480 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 50.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 400 V |
| 漏源击穿电压 | 400 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.60 A |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
Fairchild（飞兆/仙童）
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF11P06, 6.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild（飞兆/仙童）
QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF11N50CF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET QFET® 400 V ， 10.5 ， 530英里© N-Channel QFET® MOSFET 400 V, 10.5 A, 530 mΩ
Fairchild（飞兆/仙童）
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
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