类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 12.0 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 51 W |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 650 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 51 W |
输入电容 | 1.90 nF |
栅电荷 | 54.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.80 A |
上升时间 | 85 ns |
输入电容值(Ciss) | 2290pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 51 W |
下降时间 | 90 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 51W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 15.87 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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