类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 900 V |
额定电流 | 2.50 A |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 3.1 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 47 W |
漏源极电压(Vds) | 900 V |
漏源击穿电压 | 900 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
上升时间 | 70 ns |
输入电容值(Ciss) | 1100pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 47 W |
下降时间 | 40 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 47W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 16.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF4N90C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V
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