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FQPF65N06
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FQPF65N06 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF65N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:FQPF65N06 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
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FQPF65N06 数据手册 (8 页)
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FQPF65N06 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流40.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.016 Ω
极性N-Channel
功耗56 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±25.0 V
连续漏极电流(Ids)40.0 A
上升时间160 ns
输入电容值(Ciss)2410pF @25V(Vds)
额定功率(Max)56 W
下降时间105 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)56W (Tc)
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FQPF65N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.16 mm
宽度4.7 mm
高度9.19 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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FQPF65N06 数据手册

FQPF65N06 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.66 MByte
FQPF65N06 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
20 页 / 2.6 MByte
FQPF65N06 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.55 MByte

FQPF65 数据手册

FQPF65N06 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF65N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 4 V
FQPF65N06 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF65N06, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
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