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FQPF7N65C
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FQPF7N65C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF7N65C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:FQPF7N65C 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页8 页
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FQPF7N65C 数据手册 (9 页)
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FQPF7N65C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)650 V
额定电流7.00 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻1.2 Ω
极性N-Channel
功耗52 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压650 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)7.00 A
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)1245pF @25V(Vds)
额定功率(Max)52 W
下降时间55 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)52W (Tc)
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FQPF7N65C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.16 mm
宽度4.9 mm
高度9.19 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQPF7N65C 数据手册

FQPF7N65C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 3.32 MByte
FQPF7N65C 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
11 页 / 2.22 MByte
FQPF7N65C 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
3 页 / 0.27 MByte

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