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FQPF7N80
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FQPF7N80 数据手册 (8 页)
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FQPF7N80 技术参数、封装参数

FQPF7N80 外形尺寸、物理参数、其它

FQPF7N80 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.77 MByte

FQPF7 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF7N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF7N65C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N80C, 6.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N65C, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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