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FQPF8N60CFT
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FQPF8N60CFT 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQPF8N60CFT 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQPF8N60CFT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
漏源极电阻1.50 Ω
极性N-Channel
功耗48 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)6.26 A
上升时间60.5 ns
输入电容值(Ciss)1255pF @25V(Vds)
额定功率(Max)48 W
下降时间64.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)48W (Tc)
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FQPF8N60CFT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.67 mm
宽度4.7 mm
高度16.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQPF8N60CFT 数据手册

FQPF8N60CFT 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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