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FQT4N25
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FQT4N25 技术参数、封装参数

FQT4N25 外形尺寸、物理参数、其它

FQT4N25 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.63 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.79 MByte

FQT4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT4N20LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT4N20LTF, 850 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT4N25TF  晶体管, MOSFET, N沟道, 830 mA, 250 V, 1.38 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 200V 850mA
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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