| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.185 Ω |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 420pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 45 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 2.3 mm |
| 高度 | 6.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU11P06 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU11P06TU 晶体管, P沟道
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
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