| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.092 Ω |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 270pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 2.3 mm |
| 高度 | 6.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
●它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.98 MByte
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.47 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU13N06LTU 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
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