| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-251-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.092 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 28 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 90 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 2.3 mm |
| 高度 | 6.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.88 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
11 页 / 1.48 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
3 页 / 0.47 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU13N06LTU 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
