类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 10.0 A |
封装 | TO-251-3 |
漏源极电阻 | 140 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.5 W |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 310pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 6.8 mm |
宽度 | 2.5 mm |
高度 | 6.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU13N06LTU 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
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