Datasheet 搜索 > Infineon（英飞凌） > FS200R12KT4RB11BOSA1 Datasheet 文档
FS200R12KT4RB11BOSA1
来自 AiPCBA

FS200R12KT4RB11BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-ECONO3-4
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 280 A, 1.75 V, 1 kW, 1.2 kV, Module
PDF文件:FS200R12KT4RB11BOSA1 数据手册 (1 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FS200R12KT4RB11BOSA1 数据手册 (1 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FS200R12KT4RB11BOSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数35 Pin
封装AG-ECONO3-4
功耗1 kW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)14nF @25V
额定功率(Max)1000 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)1000000 mW
查看数据手册 >

FS200R12KT4RB11BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

FS200R12KT4RB11BOSA1 数据手册

FS200R12KT4RB11BOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.03 MByte
FS200R12KT4RB11BOSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
FS200R12KT4RB11BOSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FS200R12KT4RB11BOSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 2.24 MByte

FS200R12KT4RB11 数据手册

FS200R12KT4R_B11 数据手册
Infineon（英飞凌）
IGBT模块 IGBT-modules
FS200R12KT4R-B11 数据手册
Infineon（英飞凌）
FS200R12KT4RB11BOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 280 A, 1.75 V, 1 kW, 1.2 kV, Module
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet