| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 18 Pin |
| 封装 | AG-EASY1B-1 |
| 功耗 | 150 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 输入电容值(Cies) | 1.65nF @25V |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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INFINEON FS30R06W1E3 晶体管, IGBT阵列&模块, 低功率, N沟道, 30 A, 1.55 V, 150 W, 600 V, Module
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IGBT 模块，Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 45 A, 1.55 V, 150 W, 600 V, Module
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Infineon FS30R06W1E3B11BOMA1 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 45 A, Vce=600 V, 22引脚 EASY1B封装
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