类型 | 描述 |
---|
封装 | SSOT-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 500 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
最小电流放大倍数 | 70 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 0.94 mm |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FSB560 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=60 V, HFE:100, 75 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
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