| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 3.00 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.5 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 25 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @1A, 2V |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 600mV/0.6V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和晶体管 高电流增益
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