Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Infineon（英飞凌） > FZ1000R33HL3 Datasheet 文档
FZ1000R33HL3
来自 AiPCBA

FZ1000R33HL3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:IHVB-130
描述:IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管 IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
PDF文件:FZ1000R33HL3 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FZ1000R33HL3 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FZ1000R33HL3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装IHVB-130
极性N-Channel
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)50 ℃
查看数据手册 >

FZ1000R33HL3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
长度140 mm
宽度130 mm
高度38 mm
工作温度-50℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

FZ1000R33HL3 数据手册

FZ1000R33HL3 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.6 MByte
FZ1000R33HL3 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FZ1000R33HL3 开发手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 6.73 MByte

FZ1000R33 数据手册

FZ1000R33HL3 数据手册
Infineon（英飞凌）
IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管 IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
FZ1000R33HE3 数据手册
Infineon（英飞凌）
IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管 IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
FZ1000R33HE3BPSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1 kA, 2.55 V, 3.3 kV, Module
FZ1000R33HL3BPSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
FZ1000R33HE3C1NOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
FZ1000R33HE3BOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet