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FZ1200R33HE3
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FZ1200R33HE3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:AG-IHVB190-3
描述:IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管 IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
PDF文件:FZ1200R33HE3 数据手册 (9 页)
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FZ1200R33HE3 技术参数、封装参数

类型描述
封装AG-IHVB190-3
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FZ1200R33HE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃
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FZ1200R33HE3 数据手册

FZ1200R33HE3 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.45 MByte
FZ1200R33HE3 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FZ1200R33HE3 开发手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 6.73 MByte

FZ1200R33 数据手册

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