Datasheet 搜索 > Infineon（英飞凌） > FZ1500R33HE3BPSA1 Datasheet 文档
FZ1500R33HE3BPSA1
来自 AiPCBA

FZ1500R33HE3BPSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-IHVB190-3
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.5 kA, 2.55 V, 17 kW, 3.3 kV, Module
PDF文件:FZ1500R33HE3BPSA1 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FZ1500R33HE3BPSA1 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FZ1500R33HE3BPSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数9 Pin
封装AG-IHVB190-3
功耗17 kW
击穿电压(集电极-发射极)3300 V
输入电容值(Cies)280nF @25V
额定功率(Max)17000 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-50 ℃
耗散功率(Max)17000000 mW
查看数据手册 >

FZ1500R33HE3BPSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

FZ1500R33HE3BPSA1 数据手册

FZ1500R33HE3BPSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.59 MByte
FZ1500R33HE3BPSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FZ1500R33HE3BPSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 6.73 MByte
FZ1500R33HE3BPSA1 产品描述及参数
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.03 MByte

FZ1500R33HE3 数据手册

FZ1500R33HE3 数据手册
Infineon（英飞凌）
IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射极控制二极管3 IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode
FZ1500R33HE3BPSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.5 kA, 2.55 V, 17 kW, 3.3 kV, Module
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet